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纳米硅薄膜微压力传感器芯片

  • 申请号： 申请公布号：
  • 申请日： 申请公布日： 2017-01-17
  • 申请（专利权）人：BI730710983 专利代理机构：
  • 分类号：

专利介绍

纳米硅薄膜是一种新型材料，它具有一般硅单晶材料无法具有的特殊性能：1、它可以在通常的绝缘体材料表面形成薄膜，把硅纳米薄膜做成各种器件，在电学性能上相互独立，形成了SOI结构，这种器件便能在几百度的高温下正常工作。2、纳米硅薄膜的压敏系数比硅单晶高8倍左右，如果做成压力传感器，其灵敏度就相应比单晶扩散硅压力传感器高。3、用这种纳米硅薄膜制成超低微压传感器是目前国际上研究热点，因此本项目是属于国际前沿项目。

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